[发明专利]一种基于圆偏振的光纤耦合器及其制造与使用方法有效
| 申请号： | 201810943320.9 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109031530B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 武霖;陶金;郑国兴;邱英;刘子晨;尤全 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/27 | 分类号： | G02B6/27 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 张凯 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于圆偏振的光纤耦合器及其制造与使用方法，涉及微纳光学及偏振光学领域，该光纤耦合器包括基底和硅纳米棒阵列，硅纳米棒阵列由刻蚀在基底上的多个硅纳米棒单元排列而成，同一硅纳米棒单元中的硅纳米棒的结构参数相同，不同的硅纳米棒单元中的硅纳米棒的结构参数不同；不同的硅纳米棒单元以不同的转角α设于对应的基底上，转角为硅纳米棒长轴与工作面坐标系xoy中x轴的夹角。本发明的光纤耦合器具有较小的尺寸结构，插入损耗小，相位调节精确，可实现将入射光中的两种不同的圆偏振光转化为两个不同的光纤模式，减少了光学装置的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 偏振 光纤 耦合器 及其 制造 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于圆偏振的光纤耦合器，其特征在于，其包括基底(1)；硅纳米棒阵列，其由刻蚀在所述基底(1)上的多个硅纳米棒单元(2)排列而成，同一所述硅纳米棒单元(2)中的硅纳米棒(3)的结构参数相同，不同的所述硅纳米棒单元(2)中的硅纳米棒(3)的结构参数不同；不同的所述硅纳米棒单元(2)以不同的转角α(i，j)设于对应的基底(1)上，所述转角为硅纳米棒(3)长轴与工作面坐标系xoy中x轴的夹角，并满足硅纳米棒单元(2)内，入射左旋圆偏振光时，α(i，j)＝(Φ1(i，j)‑Φ2(i，j))/2；入射右旋圆偏振光时，α(i，j)＝(Φ2(i，j)‑Φ1(i，j))/2；其中，i，j表示x和y轴方向上第(i，j)个硅纳米棒单元，Φ1(i，j)为该硅纳米棒单元旋转后相位延迟，Φ2(i，j)为该硅纳米棒单元未旋转前相位延迟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉邮电科学研究院有限公司，未经武汉邮电科学研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810943320.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
