[发明专利]一种半导体晶片

摘要

本发明提供了一种半导体晶片，在所述半导体晶片中，由于隔离结构沿所述半导体衬底宽度方向的宽度小于第二区域的宽度，使得所述第二区域中除隔离结构所占区域之外的剩余区域的用于制作功率器件，这样在所述第一区域、第二区域和第三区域这三个区域的面积和相同的情况下，各个功率器件的面积可以做得更大，有利于节约半导体晶片的整体面积。

主权项

1.一种半导体晶片，其特征在于，包括：半导体衬底，具有沿所述半导体衬底长度方向依次排列且相互平行的第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域、第二区域和第三区域沿所述半导体衬底宽度方向的宽度相同，所述第一区域具有沿所述半导体衬底宽度方向依次排布的第一上区域和第一下区域，所述第三区域具有沿所述所述半导体衬底宽度方向依次排布的第三上区域和第三下区域，位于所述第二区域中的隔离结构，所述隔离结构沿所述半导体衬底宽度方向的宽度小于所述第二区域沿所述半导体衬底的宽度方向的宽度，所述隔离结构包括第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区用于吸收由所述第一下区域向所述第三上区域方向流动的空穴载流子，以及用于吸收由所述第三下区域向所述第一上区域方向流动的空穴载流子，所述第二掺杂区用于吸收由所述第三上区域向所述第一下区域方向流动的电子载流子，以及用于吸收由所述第一上区域向所述第三下区域方向流动的电子载流子。