[发明专利]一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器在审
| 申请号： | 201810945391.2 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN108922898A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碲镉汞红外焦平面 源区 等电位 碲镉汞红外焦平面探测器 公共电极 阵列边缘 像元 制备 工作电位 工作电压 输出信号 芯片结构 源区电极 阵列中央 电极孔 阵列区 腐蚀 金属 | ||
【主权项】：
1.一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，包括碲镉汞有源区(1)，钝化层(2)，pn结光敏元区电极层(3)，有源区公共电极层(4)和pn结区(5)，其特征在于：在p型的碲镉汞有源区(1)上通过B+离子注入形成pn结区(5),得到pn结光敏元列阵；在碲镉汞上覆盖钝化层(2)，在pn结区(5)和碲镉汞有源区(1)上方的钝化层(2)上分别开孔使pn结区(5)与pn结光敏元区电极层(3)相连，碲镉汞有源区(1)与有源区公共电极层(4)相连，有源区公共电极层(4)环绕阵列四周并延伸进阵列区域内有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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