[发明专利]基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810946004.7 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109301027B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/118 | 分类号： | H01L31/118;H01L31/18;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法，所述制备方法包括：在衬底上生长成核层；在所述成核层上生长非极性GaN缓冲层；在所述非极性GaN缓冲层上生长非极性GaN沟道层；在所述非极性GaN沟道层上生长插入层；在所述插入层上生长非极性InAlN势垒层；依次对所述非极性InAlN势垒层、所述插入层、所述非极性GaN沟道层进行刻蚀，然后在所述非极性GaN沟道层上制备阴阳电极，最终完成所述辐照探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器，该类型探测器利用III族氮化物异质结构沟道内二维电子气高迁移率和高限域性的特点，具有很高的灵敏度和探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 极性 inaln gan 结构 辐照 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上生长成核层；在所述成核层上生长非极性GaN缓冲层；在所述非极性GaN缓冲层上生长非极性GaN沟道层；在所述非极性GaN沟道层上生长插入层；在所述插入层上生长非极性InAlN势垒层；依次对所述非极性InAlN势垒层、所述插入层、所述非极性GaN沟道层进行刻蚀，然后在所述非极性GaN沟道层上制备阴阳电极，最终完成所述辐照探测器的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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