[发明专利]一种应用于DC-DC变换器的预偏置电路

摘要

一种应用于DC‑DC变换器的预偏置电路，属于电子电路技术领域。本发明的预偏置电路在芯片上电时快速启动，由带隙基准模块建立基准电压，预偏置电路以该基准电压为基础建立预偏置电压为其他外围模块提供一个稳定的供电电源，在芯片上电时可以快速启动给其他外围模块供电；通过反馈环路增强了预偏置电路的稳定性；利用耐压开关管提高了预偏置电路的耐压能力，使得本发明的预偏置电路可以应用于较高输入电压范围的开关电源芯片；另外本发明还可以在芯片启动时提供一个预偏置电流以电流镜中栅压的方式给芯片其他模块提供偏置电流。本发明具有输入电压范围宽和稳定性高等特点。

主权项

1.一种应用于DC‑DC变换器的预偏置电路，其特征在于，包括耐压开关管、带隙基准模块、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第十电阻(R10)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)、第十三电阻(R13)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)，所述DC‑DC变换器的输入电压(V_in)经过所述耐压开关管后连接第四NMOS管(MN4)的漏极，第四NMOS管(MN4)的源极连接所述预偏置电路的输出端；所述带隙基准模块的电源端连接所述预偏置电路的输出端，用于产生基准电压(V_ref)；第七电容(C7)接在所述预偏置电路的输出端和地之间；第七NMOS管(MN7)的栅漏短接并连接第四NMOS管(MN4)的栅极和第七PMOS管(MP7)的漏极，其源极连接第三PMOS管(MP3)的源极；第三PMOS管(MP3)的栅极连接第一NMOS管(MN1)的源极和参考信号并通过第一电容(C1)后接地，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的栅极和漏极以及第二NMOS管(MN2)的栅极和漏极并通过第二电容(C2)后连接第三NMOS管(MN3)的漏极；所述参考信号为所述基准电压(V_ref)的扰动经过放大后的信号；第三NMOS管(MN3)的栅极连接控制电压(V1)，其源极连接第五NMOS管(MN5)的源极并接地，所述控制电压(V1)为所述基准电压(V_ref)的分压信号；第六PMOS管(MP6)的源极连接第四NMOS管(MN4)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的源极并连接所述预偏置电路的输出端，其漏极连接第二NMOS管(MN2)的源极并通过第五电阻(R5)后连接第三NMOS管(MN3)的漏极，其栅极连接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的栅极以及第五PMOS(MP5)的漏极并输出偏置电压(V_bias)；第八PMOS管(MP8)的栅漏短接并连接第七PMOS管(MP7)和第九PMOS管(MP9)的栅极并通过第八电阻(R8)后连接第六NMOS管(MN6)的漏极，其源极连接第七PMOS管(MP7)、第九PMOS管(MP9)和第十一PMOS管(MP11)的源极并连接第四NMOS管(MN4)的漏极；第十PMOS管(MP10)的栅极连接第十一PMOS管(MP11)的栅极和漏极并通过第十二电阻(R12)后连接所述预偏置电路的输出端，其源极通过第六电阻(R6)后连接第四NMOS管(MN4)的漏极，其漏极连接第九PMOS管(MP9)的漏极并通过第九电阻(R9)后连接第五NMOS管(MN5)和第四PMOS管(MP4)的漏极以及第六NMOS管(MN6)的栅极；第五NMOS管(MN5)的栅极连接第六NMOS管(MN6)的源极并通过第七电阻(R7)后接地，其漏极通过第三电容(C3)后接地；第六电容(C6)接在第五PMOS管(MP5)的漏极和地之间；第十三电阻(R13)一端连接第五PMOS管(MP5)的漏极，另一端通过第五电容(C5)后接地；第十电阻(R10)和第十一电阻(R11)串联并接在第五PMOS管(MP5)的漏极和地之间，其串联点连接所述基准电压(V_ref)并通过第四电容(C4)后接地。