[发明专利]TiN电极薄膜形成方法在审
| 申请号： | 201810947277.3 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109166795A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏;朱兴旺 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiN电极薄膜形成方法，包括如下步骤：步骤1、对覆盖有非晶硅薄膜的硅基板进行加热，通过加热对硅基板进行表面处理，去除硅基板表面的水汽；步骤2、对所述硅基板进行NH3预处理；步骤3、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜；步骤4、在所述硅基板的Ti薄膜上端形成一层TiN薄膜。本发明能使形成的TiN薄膜可以有效形成欧姆接触，提高TiN薄膜电极的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 薄膜 电极薄膜 加热 预处理 非晶硅薄膜 硅基板表面 薄膜电极 表面形成 电学性能 欧姆接触 上端 水汽 去除 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种TiN电极薄膜形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、对覆盖有非晶硅薄膜的硅基板进行加热，通过加热对硅基板进行表面处理，去除硅基板表面的水汽；步骤2、对所述硅基板进行NH3预处理；步骤3、在所述硅基板的表面形成一层Ti薄膜；步骤4、在所述硅基板的Ti薄膜上端形成一层TiN薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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