[发明专利]一种提高GaN基LED生产效率的外延结构在审
| 申请号： | 201810947300.9 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109148659A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 孙一军;程志渊;盛况;周强;孙颖 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种提高GaN基LED生产效率的外延结构，所述外延结构包括由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构，且Al2O3缓冲层的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的两种或多种组合。本发明的外延结构在蓝宝石衬底与非故意掺杂高温GaN层之间没有低温GaN或AlN缓冲层，只有Al2O3缓冲层，所述Al2O3缓冲层由非MOCVD方法制备而成，从而提高GaN基LED的生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 缓冲层 生产效率 高温GaN层 蓝宝石 衬底 制备 掺杂 原子层沉积 层叠结构 依次层叠 溅射 与非 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaN基LED生产效率的外延结构，其特征在于，所述的外延结构包括由蓝宝石衬底、Al2O3缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构，且所述的Al2O3缓冲层的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的两种或多种组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810947300.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
