[发明专利]P型隔离环的结构在审
| 申请号： | 201810947362.X | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109148561A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨文清 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种P型隔离环的结构，用于high side BCD结构中的电平转换部分与高压部分VB的隔离，是呈环形结构，其特征在于：所述的P型隔离环结构的宽度不一致，在P型隔离环上采用局部宽度收窄的方式，其宽度小于P型隔离环上其他部分的宽度。本发明采用非一致宽度的P型隔离环，不同宽度的P型隔离环的耗尽难易程度不同，宽度越小越易于耗尽，P型隔离环宽度越小越利于高压耐压，本发明通过选用合适的窄P型隔离环的宽度和长度实现既耐高压又满足level shift的漏和高压部分VB的隔离要求。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离环 耗尽 隔离 电平转换 环形结构 不一致 耐高压 耐压 收窄 | ||
【主权项】：
1.一种P型隔离环的结构，用于high side BCD结构中的电平转换部分与高压部分VB的隔离，是呈环形结构，其特征在于：所述的P型隔离环结构的宽度不一致，在P型隔离环上采用局部宽度收窄的方式，其宽度小于P型隔离环上其他部分的宽度。
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