[发明专利]一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构在审
| 申请号： | 201810947741.9 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109148660A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 孙一军;程志渊;盛况;周强;孙颖 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构，所述外延结构为由蓝宝石衬底、复合缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构。本发明的外延结构在蓝宝石衬底与非故意掺杂高温GaN层之间没有低温GaN缓冲层，只有复合缓冲层，且复合缓冲层为采用非MOCVD方法制备的Al2O3/AlN周期性结构。这种结构不仅可以提高GaN基LED发光效率，而且可以提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 复合缓冲层 外延结构 高温GaN层 蓝宝石 衬底 掺杂 低温GaN缓冲层 周期性结构 层叠结构 发光效率 生产效率 依次层叠 与非 制备 | ||
【主权项】：
1.一种提高LED生产效率的复合缓冲层外延结构，其特征在于，所述的外延结构为由蓝宝石衬底、复合缓冲层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层依次层叠的层叠结构，所述的复合缓冲层为Al2O3/AlN周期性结构，且该周期性结构通过蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810947741.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高GaN基LED生产效率的外延结构
- 下一篇：半导体结构
