[发明专利]外延生长方法在审
| 申请号： | 201810947746.1 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109148266A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 伍洲;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/167 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种外延生长方法，在第一导电类型的硅衬底上的沟槽中，先在沟槽内淀积一层含碳的且浓度渐变的衬垫外延层，然后沟槽内再填充满第二导电类型的外延层；所述的浓度渐变，是指衬垫外延层中含碳的浓度，靠近衬底的一侧浓度最高，往沟槽中间方向浓度逐渐降低，到与第二导电类型的外延层接触的面碳浓度降为零。靠衬底的高掺杂浓度的衬垫外延层，能有效抑制硼、磷元素的热扩散，同时确保后续生长的第二导电类型的外延层没有位错缺陷的产生；掺碳浓度为零的衬垫外延层与后续填充接触的第二导电类型的外延层结构一致，没有晶格差异，第二导电类型的外延层生长不会产生位错。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 导电类型 外延生长 渐变 衬底 第一导电类型 外延层结构 晶格差异 位错缺陷 有效抑制 中间方向 逐渐降低 生长 高掺杂 硅衬底 磷元素 热扩散 掺碳 淀积 位错 填充 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长方法，其特征在于：在第一导电类型的硅衬底上的沟槽中，先在沟槽内淀积一层含碳的且浓度渐变的衬垫外延层，然后沟槽内再填充满第二导电类型的外延层；所述的浓度渐变，是指衬垫外延层中含碳的浓度，靠近衬底的一侧浓度最高，往沟槽中间方向浓度逐渐降低，到与第二导电类型的外延层接触的面碳浓度降为零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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