[发明专利]一种含有AlN复合结构的蓝宝石复合衬底在审
| 申请号： | 201810948187.6 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109192828A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 孙一军;程志渊;盛况;周强;孙颖 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种含有AlN复合结构的蓝宝石复合衬底，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN复合结构，所述AlN复合结构包括沉积于蓝宝石衬底上的第一AlN层、沉积于所述第一AlN层上的Al2O3层以及沉积于所述Al2O3层上的第二AlN层，所述AlN复合结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合，不仅可以提高GaN材料质量，降低缺陷密度，而且可以提高外延生产效率，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 复合结构 衬底 沉积 复合 原子层沉积 外延生产 溅射 制备 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种含有AlN复合结构的蓝宝石复合衬底，其特征在于，其包括蓝宝石衬底以及沉积于所述蓝宝石衬底上的AlN复合结构，所述AlN复合结构包括沉积于蓝宝石衬底上的第一AlN层、沉积于所述第一AlN层上的Al2O3层以及沉积于所述Al2O3层上的第二AlN层，且所述的AlN复合结构的制备方法为蒸发、溅射、原子层沉积中的一种或多种组合。
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