[发明专利]一种硅控整流器结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种硅控整流器结构及其制造方法，硅控整流器结构包括衬底；位于衬底中的N型阱和P型阱；N型阱内设有连接至阳极的N型重掺杂区410和P型重掺杂区422，N型阱内还设有浮接的保护环，保护环位于N型重掺杂区410与P型重掺杂区422之间，保护环与N型重掺杂区410通过浅沟槽隔离间隔，保护环与P型重掺杂区422之间为预定宽度的有源区；P型阱内设有连接至阴极的N型重掺杂区414和P型重掺杂区424，N型重掺杂区414与P型重掺杂区424之间通过浅沟槽隔离间隔，N型重掺杂区414与N型重掺杂区410之间具有连接至阴极的栅控二极管。根据本发明所提供的制造方法所制造的硅控整流器结构具有较低的触发电压和较高的维持电压。

主权项

1.一种硅控整流器结构，包括：衬底(100)；位于所述衬底(100)中的N型阱(210)和P型阱(220)，所述N型阱(210)邻接所述P型阱(220)；所述N型阱(210)内设有连接至阳极的N型重掺杂区(410)和P型重掺杂区(422)，所述N型重掺杂区(410)横跨所述N型阱(210)与所述P型阱(220)，所述N型阱(210)内还设有浮接的保护环(416)，所述保护环(416)位于所述N型重掺杂区(410)与所述P型重掺杂区(422)之间，所述保护环(416)与所述N型重掺杂区(410)通过浅沟槽隔离间隔，所述保护环(416)与所述P型重掺杂区(422)之间为预定宽度的有源区；所述P型阱(220)内设有连接至阴极的N型重掺杂区(414)和P型重掺杂区(424)，所述N型重掺杂区(414)与所述P型重掺杂区(424)之间通过浅沟槽隔离间隔，所述N型重掺杂区(414)与所述N型重掺杂区(410)之间具有连接至所述阴极的栅控二极管。