[发明专利]一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法有效
| 申请号： | 201810948501.0 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109273356B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘驰;魏玉宁;孙东明;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及新型半导体纳米薄膜的研发与应用领域，具体为一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜及其制作方法。半导体纳米薄膜是厚度为1微米以下的半导体单晶薄膜，可作为柔性集成器件、生物集成器件、异质集成高速器件、异质结器件等新型半导体器件的构成部分。利用反应离子刻蚀工艺实现与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜的制备，该方法不改变半导体体内掺杂浓度，扩展薄膜的应用范围，并节约工艺成本，所得的薄膜具有良好的电学性能和力学性能。本发明提出反应离子刻蚀工艺方法，在不使用离子注入与退火工艺的情况下，实现与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜的规模化制备，率先制备传统方法难以得到的新型半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 形成 欧姆 接触 纳米 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种与金属形成欧姆接触的硅纳米薄膜，其特征在于，硅纳米薄膜是厚度为1微米以下的半导体单晶薄膜，硅纳米薄膜与金属形成的接触是欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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