[发明专利]一种基于PVT法生长sic的方法在审
| 申请号： | 201810948539.8 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109056069A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 孙月静 | 申请（专利权）人： | 孙月静 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PVT法生长sic的方法，包括以下步骤：一种基于PVT法生长sic的方法，包括：(a)在生长坩埚内部以间隔关系提供SiC籽晶和SiC源材料；(b)在生长坩埚中建立其中SiC晶体PVT生长的起始条件，所述起始条件包括：(1)生长坩埚内的合适气体，(2)生长坩埚内合适的气体总压力(3)生长坩埚中的合适温度，使SiC源材料升华并通过生长坩埚中的温度梯度输送到SiC晶种，其中升华的SiC源材料沉淀形成生长的SiC晶体；该方法的使用晶体生长具有最小化的应力，所述合成温度的范围为1800℃‑2500℃；导致缺陷减少，有效避免了晶体生长过程中螺旋位错和基面位错。 | ||
| 搜索关键词： | 生长坩埚 源材料 生长 起始条件 晶体生长过程 气体总压力 沉淀形成 合适气体 基面位错 间隔关系 晶体生长 缺陷减少 温度梯度 升华 中螺旋 最小化 晶种 位错 籽晶 合成 | ||
【主权项】：
1.一种基于PVT法生长sic的方法，包括：(a)在生长坩埚内部以间隔关系提供SiC籽晶和SiC源材料；(b)在生长坩埚中建立其中SiC晶体PVT生长的起始条件，所述起始条件包括：(1)生长坩埚内的合适气体，(2)生长坩埚内合适的气体总压力，(3)生长坩埚中的合适温度，使SiC源材料升华并通过生长坩埚中的温度梯度输送到SiC晶种，其中升华的SiC源材料沉淀形成生长的SiC晶体；(c)在SiC晶体生长期间多次间歇地改变生长坩埚内的下列生长条件中的至少一种；
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