[发明专利]一种莫桑石的制造方法在审
| 申请号： | 201810948597.0 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109023528A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 孙月静 | 申请（专利权）人： | 孙月静 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B1/10 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种莫桑石的制造方法，包括以下步骤：选择合适的生长室，并将硅、碳和SiC晶种放入所述生长室中，所述碳是C粉末，粉末颗粒的平均直径大于10微米；所述硅为硅粉，所述硅粉颗粒的平均直径为100μm‑400μm；所述生长室加热至2000℃，然后在2000℃下将所述生长室内的空气抽出，并在所述生长室内填充惰性气体，所述惰性气体的压力范围为100mp‑1000mp；将所述硅和所述碳加热至合成温度，所述合成温度的范围为2000℃‑2500℃，使得发生硅与碳发生化学反应以形成SiC。该方法避免了现有技术中发生的碳粉末的流化，提高了生长的SiC单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 生长室 惰性气体 生长 加热 合成 室内 化学反应 粉末颗粒 硅粉颗粒 碳粉末 单晶 放入 硅粉 晶种 流化 填充 制造 抽出 | ||
【主权项】：
1.一种莫桑石的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选择合适的生长室，并将硅、碳和SiC晶种放入所述生长室中，所述碳是C粉末，粉末颗粒的平均直径大于10微米；所述硅为硅粉，所述硅粉颗粒的平均直径为100μm‑400μm；S2、所述生长室加热至2000℃，然后在2000℃下将所述生长室内的空气抽出，并在所述生长室内填充惰性气体，所述惰性气体的压力范围为100mp‑1000mp；S3、将所述硅和所述碳加热至合成温度，所述合成温度的范围为2000℃‑2500℃，使得发生硅与碳发生化学反应以形成SiC。
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