[发明专利]一种SiC晶体的制造方法在审
| 申请号： | 201810950367.8 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN108977886A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 孙月静 | 申请（专利权）人： | 孙月静 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种制造SiC单晶的方法，本发明的主要新颖方面是控制蒸汽传输和温度梯度，其中所述传输被限制在生长晶体的中心区域，而晶体及其周围处于接近零径向温度梯度的条件下。这导致有利形状的生长界面，例如朝向源平坦或略微凸起，降低的晶体应力和降低的晶体缺陷密度。本发明的其他新颖方面包括通过升华和从源自SiC源的颗粒过滤蒸汽来原位致密化SiC源。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体的 径向温度梯度 晶体缺陷 颗粒过滤 生长界面 温度梯度 蒸汽传输 中心区域 致密化 单晶 凸起 蒸汽 制造 平坦 升华 传输 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制造SiC单晶的方法，包括：(a)在升华的温度梯度的存在晶种的表面上生长一SiC单晶；(b)在步骤(a)中，控制所述温度梯度，使得晶体中的径向温度梯度为正且基本上浅，并通过将所述通量基本上限制在表面的中心区域来控制含SiC蒸汽的通量。
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