[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括：衬底；堆叠于所述衬底上方的第一叠层结构和第二叠层结构，所述第一叠层结构和第二叠层结构分别包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；以及贯穿所述第一叠层结构和第二叠层结构的多个沟道柱，其中，所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的沟道柱相连通，在连接处形成沟道窗口，所述沟道窗口的大小可以改变。该3D存储器件中上下两层叠层结构的叠层层数不同，从而使上下两层沟道层连接处的沟道柱的开口尺寸变大，在进行后续的冲孔过程中获得更大的空间，从而减小或避免连接处沟道柱受损形成泄漏源，也保证了沟道层的连续性，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。

主权项

1.一种3D存储器件，包括：衬底；堆叠于所述衬底上方的第一叠层结构和第二叠层结构，所述第一叠层结构和第二叠层结构分别包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；以及分别贯穿所述第一叠层结构和第二叠层结构的多个第一沟道柱和多个第二沟道柱，其中，所述多个第一沟道柱与所述多个第二沟道柱彼此连接，并且，所述多个第一沟道柱在所述第一叠层结构上表面的顶部开口尺寸大于所述多个第二沟道柱在所述第二叠层结构上表面的顶部开口尺寸。