[发明专利]离子预嵌入二维层状材料构筑的插层电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810951829.8 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109216648B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张炳森;李浩杰;鲁铭;韩文娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/139;H01M4/13;H01M10/0525;H01M10/054 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子预嵌入二维层状材料构筑的插层电极及其制备方法和应用，属于电化学储能器件电极材料制备技术领域。首先以二维层状材料为工作电极，以含有预嵌入离子的溶液为电解液，以高导电材料为对电极，构筑电化学离子预嵌入反应体系。借助电化学工作站对工作电极在特定电压窗口内施加波动电位(可采用循环伏安和恒电流充放电技术)，从而迫使离子在二维层状材料层间中进行周期性嵌脱，以离子嵌脱预先打通离子输运通道的目的。通过对终态电位控制，将预嵌入离子锚定在二维材料内层间，实现离子支撑作用，从而构筑高速、稳定的离子输运通道，进而提升二维层状材料的电极功能，服务于高性能储能体系。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 嵌入 二维 层状 材料 构筑 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810951829.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
