[发明专利]一种横向锗探测器结构及制备方法

摘要

本发明公开一种横向锗探测器结构，其中，横向锗探测器结构为横向光电二极管结构，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层上包括顶层硅，顶层硅的一侧形成第一掺杂区域，于第一掺杂区域的上表面形成第一电极；顶层硅的上表面形成耦合层，于耦合层背向第一电极的一侧形成延伸部，于延伸部形成第二掺杂区域，于第二掺杂区域形成第二电极；氮化硅波导为锥形结构，形成于多晶硅层的上方。有益效果：通过改造锗层结构，对顶层硅及锗层分别进行掺杂，增强了氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率，实现了光复用器、光解复用器与锗探测器的有效集成，还应用于高光功率及高带宽的光电探测领域中。

主权项

1.一种横向锗探测器结构，其特征在于，所述横向锗探测器结构为横向光电二极管结构，具体包括：/n一硅衬底；/n一硅氧化层，沉积于所述硅衬底的上表面；所述硅氧化层上包括：/n一顶层硅，所述顶层硅的一侧形成一第一掺杂区域，于所述第一掺杂区域的上表面形成一第一电极，所述第一电极向上延伸出所述硅氧化层；/n一耦合层，形成于所述顶层硅的上表面，所述耦合层背向所述第一电极的一侧形成一延伸部，于所述延伸部形成一第二掺杂区域，于所述第二掺杂区域形成一第二电极，所述第二电极向上延伸出所述硅氧化层；/n所述耦合层包括一第一层与一第二层，所述第二层形成于所述第一层的上表面，所述第一层为锗层；/n一氮化硅波导，形成于所述耦合层的上方，所述氮化硅波导为锥形结构，所述氮化硅波导具有一第一端与一第二端，所述第一端小于所述第二端，所述氮化硅波导用于接收光信号，并将所述光信号耦合至所述耦合层，所述锗层用以接收所述光信号，并将所述光信号转换为电信号。/n