[发明专利]一种硅基电光调制器的掺杂结构在审
| 申请号： | 201810954973.7 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109031706A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈昌华;仇超;甘甫烷 | 申请（专利权）人： | 南通赛勒光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市苏通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基电光调制器的掺杂结构，包括脊型波导，包括平板部与位于平板部的中部的条形波导；脊型波导中形成第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域及第四掺杂区域；第二掺杂区域越过条形波导的中心与第三掺杂区域的交界处形成PN结掺杂耗尽区，PN结掺杂耗尽区包括依次排列的具有一PN结掺杂周期的圆弧状结构，PN结掺杂耗尽区与第二掺杂区域相通，PN结掺杂耗尽区的掺杂离子与第二掺杂区域的掺杂离子相同。有益效果：在不显著增加PN结电容的情况下，增加PN结耗尽区的宽度，改善PN结掺杂耗尽区与光模场的重叠因子，提高调制器的工艺容差，并且这种掺杂结构工艺简单，与传统工艺兼容，可用于大规模生产，成本较低，具有很高的产业利用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区域 掺杂 耗尽区 硅基电光调制器 掺杂离子 脊型波导 条形波导 平板部 圆弧状结构 传统工艺 结构工艺 依次排列 重叠因子 调制器 光模场 交界处 可用 容差 兼容 相通 | ||
【主权项】：
1.一种硅基电光调制器的掺杂结构，其特征在于，包括：一脊型波导，所述脊型波导包括一平板部与一位于所述平板部的中部的条形波导；所述脊型波导中形成一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一第三掺杂区域及一第四掺杂区域；所述第二掺杂区域越过所述条形波导的中心与所述第三掺杂区域的交界处形成一PN结掺杂耗尽区，所述PN结掺杂耗尽区包括依次排列的具有一PN结掺杂周期的圆弧状结构，所述PN结掺杂耗尽区与所述第二掺杂区域相通，所述PN结掺杂耗尽区的掺杂离子与所述第二掺杂区域的掺杂离子相同。
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