[发明专利]一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810955297.5 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109326713A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李焕群;周楠;魏贤虎;王睿 | 申请（专利权）人： | 中通服咨询设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 胡建华 |
| 地址： | 210019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器，它从下往上依次包括衬底、栅绝缘层、量子点掺杂薄膜层、光敏半导体层以及在光敏半导体层上形成的源漏电极；所述量子点掺杂薄膜层为掺杂有半导体纳米晶的聚合物薄膜。本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能及光敏性能，使其存储容量、开关速度和光响应能力得到很大提升，实现多阶存储；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏半导体层 晶体管存储器 有机场效应 掺杂 薄膜层 光调控 量子点 多阶 半导体纳米晶 聚合物薄膜 存储容量 存储性能 多阶存储 工艺手段 器件制备 源漏电极 栅绝缘层 光响应 衬底 光敏 制备 应用 改进 | ||
【主权项】：
1.一种基于光调控的有机场效应多阶晶体管存储器，其特征在于，它从下往上依次包括衬底(1)、栅绝缘层(2)、量子点掺杂薄膜层(3)、光敏半导体层(4)以及在光敏半导体层(4)上形成的源漏电极(5)；所述量子点掺杂薄膜层(3)为掺杂有半导体纳米晶的聚合物薄膜。
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