[发明专利]一种横向锗探测器结构及制备方法

摘要

本发明包括一种横向锗探测器结构及制备方法，其中，横向锗探测器结构为横向光电二极管，包括硅衬底；硅氧化层沉积于硅衬底的上表面；硅氧化层包括顶层硅；锗层形成于顶层硅的上表面，锗层包括锗层主体，以及由锗层主体分别向两侧延伸的第一延伸部与第二延伸部，于第一延伸部与第二延伸部分别形成第一掺杂区域与第二掺杂区域，于第一掺杂区域与第二掺杂区域的上表面分别形成第一电极与第二电极；氮化硅波导形成于锗层的上方，氮化硅波导为锥形结构。有益效果：通过改造锗层结构，有效增强氮化硅波导耦合至锗探测器的耦合效率，可以实现光复用器与光解复用器与锗探测器的有效集成，还可以应用于高光功率及高带宽的光电探测领域中。

主权项

1.一种横向锗探测器结构，其特征在于，所述横向锗探测器结构为横向光电二极管，具体包括：一硅衬底；一硅氧化层，沉积于所述硅衬底的上表面；所述硅氧化层上包括：一顶层硅；一锗层，形成于所述顶层硅的上表面，所述锗层包括锗层主体，以及由所述锗层主体分别向两侧延伸的第一延伸部与第二延伸部，于所述第一延伸部与所述第二延伸部分别形成一第一掺杂区域与一第二掺杂区域，于所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域的上表面分别形成一第一电极与一第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别向上延伸出所述硅氧化层；一氮化硅波导，形成于所述锗层的上方，所述氮化硅波导为锥形结构，所述氮化硅波导具有一第一端与一第二端，所述第一端小于所述第二端，所述氮化硅波导用于接收光信号，并将所述光信号耦合至所述锗层，所述锗层用以接收所述光信号，并将所述光信号转换为电信号。