[发明专利]一种石墨烯掺杂制备和修复方法有效
| 申请号： | 201810957101.6 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108658065B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陈木成 | 申请（专利权）人： | 恒力（厦门）石墨烯科技产业集团有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194;C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361003 福建省厦门市中国（福建）自由贸*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体制备领域，公开了一种石墨烯掺杂制备及修复方法，由以下步骤组成：先采用CVD法在特定基底上生长石墨烯薄膜；将石墨烯薄膜转移到需要的基底表面，用氧等离子体对石墨烯进行刻蚀出需要的形状；然后采用MPCVD法对石墨烯进行N型或P型元素掺杂，并分别在掺杂的同时对半导体石墨烯进行修复。本发明制备的半导体石墨烯，可适用的基底更加广泛，同时掺杂元素浓度可控，另外通过修复可以使半导体中的部分石墨烯缺陷得到改善，并使得一片一片的半导体石墨烯形成一定面积的半导体石墨烯薄膜，阻抗更低，响应时间更快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 掺杂 制备 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯掺杂制备和修复方法，其特征在于，所述的石墨烯掺杂制备和修复方法由以下步骤组成：S01：先采用CVD法在特定基底上生长石墨烯薄膜；S02：将石墨烯薄膜转移到需要的基底表面，用氧等离子体对石墨烯进行刻蚀出需要的形状；S03：然后采用MPCVD法对石墨烯进行N型或P型元素掺杂并修复。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恒力（厦门）石墨烯科技产业集团有限公司，未经恒力（厦门）石墨烯科技产业集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810957101.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
