[发明专利]基于纳米带的晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810957190.4 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109119485B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/336;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米带的晶体管，包括：衬底；设置于所述衬底上的栅电极；设置于所述栅电极上的栅介质层，所述栅介质层包括第一栅介质层和第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述第一栅介质层表面；设置于所述第一栅介质层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极的表面与所述第二栅介质层的表面平齐；以及设置于所述源电极、所述漏电极和所述第二栅介质层上的有源层，所述有源层包括至少一条黑磷纳米带，所述至少一条黑磷纳米带均包括用于打开带隙的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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