[发明专利]半导体器件

摘要

公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的沟槽中。字线结构包括覆盖沟槽的内表面的栅极绝缘图案。栅极电极图案在栅极绝缘图案上。第一功函数图案在栅极绝缘图案和栅极电极图案之间。第二功函数图案在第一功函数图案上，并沿栅极电极图案的侧面延伸。第一功函数图案的顶面位于在栅极电极图案的底面以下的水平处。第一功函数图案具有比第二功函数图案大的功函数。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，包括由器件隔离层限定的有源区；以及字线结构，在形成在所述衬底的上部中的沟槽中，其中，所述字线结构包括：栅极绝缘图案，覆盖所述沟槽的内表面；栅极电极图案，在所述栅极绝缘图案上；第一功函数图案，在所述栅极绝缘图案和所述栅极电极图案之间；以及第二功函数图案，在所述第一功函数图案上，且沿所述栅极电极图案的侧面延伸，其中，所述第一功函数图案的顶面处于所述栅极电极图案的底面之下的水平处，并且具有比所述第二功函数图案大的功函数。