[发明专利]低噪声放大器电路有效
申请号: | 201810957771.8 | 申请日: | 2015-02-23 |
公开(公告)号: | CN109379050B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | P.希沃南;J.贾西拉;S.维尔奥南 | 申请(专利权)人: | 瑞典爱立信有限公司 |
主分类号: | H03F1/22 | 分类号: | H03F1/22;H03F1/26;H03F3/193;H03F3/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 付曼;杨美灵 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于将单端输入信号转换为差分输出信号的放大器(300)。该放大器(300)包括第一晶体管(301)、第二晶体管(302)、第三晶体管(303)和第四晶体管(304)。以共源极或共发射极模式配置的第一晶体管(301)接收单端输入信号并且生成差分输出信号的第一部分。以共源极或共发射极模式配置的第二晶体管(302)生成差分输出信号的第二部分。第三和第四晶体管(303,304)电容性交叉耦合。放大器(300)还包括电感退化,使得第一晶体管(301)的源极或发射极连接至第一电感器(321)并且第二晶体管(302)的源极或发射极连接至第二电感器(322)。 | ||
搜索关键词: | 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】:
1.一种用于将单端输入信号转换为差分输出信号的低噪声放大器,所述放大器包括:第一晶体管,以共源极或共发射极模式被配置,以接收所述单端输入信号,并且生成所述差分输出信号的第一部分,所述第一晶体管的源极或发射极连接至第一电感器的第一端,以及所述第一晶体管的栅极或基极耦合至所述单端输入信号;第二晶体管,以共源极或共发射极模式被配置,以生成所述差分输出信号的第二部分,所述第二晶体管的源极或发射极连接至第二电感器的第一端;以及第三晶体管和第四晶体管,并且其中所述第三晶体管和所述第四晶体管交叉耦合并且连接至所述第一晶体管和所述第二晶体管以使得:所述第一晶体管的漏极或集电极经由第一电容器耦合至所述第四晶体管的栅极或基极;所述第二晶体管的漏极或集电极经由第二电容器耦合至所述第三晶体管的栅极或基极;以及所述第一晶体管的所述漏极或集电极连接至所述第三晶体管的源极或发射极,所述第二晶体管的所述漏极或集电极连接至所述第四晶体管的源极或发射极;以及所述第一晶体管的所述漏极或集电极直接地或者经由第三电容器耦合至所述第二晶体管的栅极或基极;其中所述第一电感器的第二端连接至所述第二电感器的第二端以形成第一节点,所述第一节点在操作频率相对于地具有为零或基本为零的电压。
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