[发明专利]一种BCD半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种BCD半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的第一高压nLIGBT器件、第二高压nLIGBT器件、第一高压nLDMOS器件、第二高压nLDMOS器件、第三高压nLDMOS器件、第一高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件、PNP器件和diode器件，高压nLIGBT器件、高压nLDMOS器件、高压pLDMOS器件均采用介质隔离，实现高低压器件完全隔离，本发明在衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成，由介质、第二导电类型埋层、介质槽以及第一导电类型注入区组成的隔离区域实现集成芯片上的高低压全介质隔离，避免了高低压的串扰问题，在六类的高压管子中均采用了多沟道设计，可有效增加高压管的电流输出能力。

主权项

1.一种BCD半导体器件，其特征在于：包括集成于同一芯片上的第一高压nLIGBT器件(1)、第二高压nLIGBT器件(2)、第一高压nLDMOS器件(3)、第二高压nLDMOS器件(4)、第三高压nLDMOS器件(5)、第一高压pLDMOS器件(6)、低压NMOS器件(7)、低压PMOS器件(8)、PNP器件(9)和diode器件(10)，所述第一高压nLIGBT器件(1)、第二高压nLIGBT器件(2)和第一高压nLDMOS器件(3)、第二高压nLDMOS器件(4)、第三高压nLDMOS器件(5)、第一高压pLDMOS器件(6)均采用介质隔离，实现高低压器件完全隔离，第一高压nLIGBT器件(1)、第二高压nLIGBT器件(2)、第一高压nLDMOS器件(3)、第二高压nLDMOS器件(4)、第三高压nLDMOS器件(5)采用多沟道设计。