[发明专利]吸附法制备的聚乙烯吡咯烷酮阴极界面层及其应用有效

专利信息
申请号: 201810958829.0 申请日: 2018-08-22
公开(公告)号: CN110858624B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 侯剑辉;杨蓓 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种吸附法制备的聚乙烯吡咯烷酮阴极界面层及其应用。该方法包括:将覆有透明导电电极的基底浸入聚乙烯吡咯烷酮溶液中,再取出,吹干而得。本发明通过将覆有透明阴极的基底浸入PVP溶液中,利用PVP分子与阴极分子之间的相互作用力,得到均匀连续的薄层PVP阴极界面层,而且不会在活性层中引入陷阱。使用该方法制备的PVP阴极界面层的OSC,具有与使用传统方法制备PVP阴极界面层的OSC相当的光伏效率。本发明提供了一种可以采用吸附法制备PVP阴极界面层的方法,该法不受PVP耐厚能力或者打印技术的限制,适用于大面积印刷工艺。
搜索关键词: 吸附 法制 聚乙烯 吡咯烷酮 阴极 界面 及其 应用
【主权项】:
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