[发明专利]吸附法制备的聚乙烯吡咯烷酮阴极界面层及其应用有效
申请号: | 201810958829.0 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN110858624B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 侯剑辉;杨蓓 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种吸附法制备的聚乙烯吡咯烷酮阴极界面层及其应用。该方法包括:将覆有透明导电电极的基底浸入聚乙烯吡咯烷酮溶液中,再取出,吹干而得。本发明通过将覆有透明阴极的基底浸入PVP溶液中,利用PVP分子与阴极分子之间的相互作用力,得到均匀连续的薄层PVP阴极界面层,而且不会在活性层中引入陷阱。使用该方法制备的PVP阴极界面层的OSC,具有与使用传统方法制备PVP阴极界面层的OSC相当的光伏效率。本发明提供了一种可以采用吸附法制备PVP阴极界面层的方法,该法不受PVP耐厚能力或者打印技术的限制,适用于大面积印刷工艺。 | ||
搜索关键词: | 吸附 法制 聚乙烯 吡咯烷酮 阴极 界面 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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