[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种半导体器件，其包括低损耗光波导。包括在半导体器件中的光波导具有覆盖有分别具有不同折射率的第一和第二包层的芯层。芯层的一部分以第一比率覆盖，即，第一包层与第二包层的比率，同时以第二比率覆盖，即，第二包层与第一包层的比率。此时，第一比率和第二比率均为大于0的有限值。

主权项

1.一种半导体器件，包括：芯层；第一包层，所述第一包层的折射率低于所述芯层的折射率；以及第二包层，所述第二包层的折射率低于所述芯层的折射率，并且与所述第一包层的折射率不同，所述芯层包括：第一部分，所述第一部分与所述第一包层接触并且在平面图中与所述第一包层重叠；第二部分，所述第二部分具有第一重叠部分和第二重叠部分并且与所述第一部分相邻，所述第一重叠部分与所述第一包层接触并且在平面图中与所述第一包层重叠，所述第二重叠部分与所述第二包层接触并且在平面图中与所述第二包层重叠；以及第三部分，所述第三部分与所述第二包层接触，在平面图中与所述第二包层重叠，与所述第二部分相邻，并且具有有限的曲率半径，其中，在与所述第二部分的延伸方向垂直并且穿过所述第二部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处，所述第一包层与所述第二包层的第一比率和所述第二包层与所述第一包层的第二比率每一个均为大于0的有限值，其中，在与所述第二部分的延伸方向垂直并且穿过所述第二部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第一比率，低于在与所述第一部分的延伸方向垂直并且穿过所述第一部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第一比率，并且大于在与所述第三部分的延伸方向垂直并且穿过所述第三部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第一比率，以及其中，在与所述第二部分的延伸方向垂直并且穿过所述第二部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第二比率，大于在与所述第一部分的延伸方向垂直并且穿过所述第一部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第二比率，并且低于在与所述第三部分的延伸方向垂直并且穿过所述第三部分的截面中所述第一包层和所述第二包层中的每一个与所述芯层接触的位置处的所述第二比率。