[发明专利]一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810959326.5 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109326504A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;刘孝龙;季阳;陈坤基 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法，以石英和单晶硅作为衬底，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)生长一层磷掺杂非晶富硅SiC薄膜，通过改变原料气甲烷(CH4)、硅烷(SiH4)和适量的磷烷(PH3)的气体流量，实现C/Si比的调节以及掺杂浓度的改变；其中CH4/SiH4气体流量的比例范围为0.3～3，PH3的气体流量变化为0sccm～80sccm；通过退火，使非晶SiC薄膜得到晶化，形成镶嵌于非晶SiC膜中的硅纳米晶。SiH4气体流量1sccm以上，PH3的气体流量0.5～80sccm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 气体流量 非晶 带隙可调 高电导率 硅基薄膜 制备 等离子增强化学气相沉积 退火 单晶硅 原料气甲烷 硅纳米晶 磷掺杂 衬底 富硅 硅烷 晶化 磷烷 石英 掺杂 镶嵌 生长 | ||
【主权项】：
1.一种带隙可调高电导率硅基薄膜的制备方法，其特征是，以石英和单晶硅作为衬底，利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)生长一层磷掺杂非晶富硅SiC薄膜，通过改变原料气甲烷(CH4)、硅烷(SiH4)和适量的磷烷(PH3)的气体流量，实现C/Si比的调节以及掺杂浓度的改变；其中CH4/SiH4气体流量的比例范围为0.3～3，PH3的气体流量变化为0sccm～80sccm；通过退火，使非晶SiC薄膜得到晶化，形成镶嵌于非晶SiC膜中的硅纳米晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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