[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810959497.8 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858544A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/306;H01L21/265;C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部、覆盖鳍部部分侧壁的隔离结构、以及横跨鳍部且覆盖部分隔离结构的伪栅极结构；在所述鳍部侧壁表面形成第一侧墙；在所述第一侧墙侧壁表面形成阻挡层；形成所述阻挡层之后，在伪栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，所述凹槽暴露出所述第一侧墙；在所述凹槽内形成源漏掺杂层。所述阻挡层能够稳定位于隔离结构表面，且对其覆盖的第一侧墙起到较好的支撑作用，避免第一侧墙与隔离结构发生脱离，从而使形成的半导体器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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