[发明专利]混合接合结构及其制造方法

摘要

本揭露提供包括第一集成电路组件与第二集成电路组件的混合接合结构。第一集成电路组件包括第一介电层、第一导体与隔离结构。第一导体与隔离结构嵌入于第一介电层中。隔离结构与第一导体电性绝缘，且隔离结构围绕第一导体。第二集成电路组件包括第二介电层与第二导体。第二导体嵌入于第二介电层中。第一介电层接合至第二介电层，且第一导体接合至第二导体。

主权项

1.一种混合接合结构的制造方法，其特征在于，包括：提供第一集成电路组件，其中所述第一集成电路组件包括其中具有多个第一半导体器件的第一半导体衬底、设置于所述第一半导体衬底上的第一内连线结构、覆盖所述第一内连线结构的第一介电层以及至少一第一导体群组，所述至少一第一导体群组包括经由所述第一内连线结构而彼此电性连接的多个第一导体；提供第二集成电路组件，其中所述第二集成电路组件包括其中具有多个第二半导体器件的第二半导体衬底、设置于所述第二半导体衬底上的第二内连线结构、覆盖所述第二内连线结构的第二介电层以及至少一第二导体群组，所述至少一第二导体群组包括经由所述第二内连线结构而彼此电性连接的多个第二导体；以及进行混合接合工艺以接合所述第一集成电路组件与所述第二集成电路组件，以使所述第一介电层接合至所述第二介电层，且所述多个第一导体接合至所述多个第二导体。