[发明专利]横向RC-IGBT器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种横向RC‑IGBT器件及其制造方法，其集电极结构包括第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及第一导电类型集电区；连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。本发明与现有工艺兼容，能有效抑制横向RC‑IGBT器件的负阻现象，提高IGBT器件的可靠性。

主权项

1.一种横向RC‑IGBT器件，包括第一导电类型衬底以及设置于所述第一导电类型衬底上部内的第二导电类型阱区；在所述第二导电类型阱区的一侧设置发射极结构以及栅极结构，在第二导电类型阱区的另一侧设置集电极结构；其特征是：所述集电极结构包括设置于第二导电类型阱区内的第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及位于所述第二导电类型电场阻止层内的第一导电类型集电区；所述第二导电类型集电极短路区位于栅极结构与第二导电类型电场阻止层之间，第一导电类型集电区、第二导电类型电场阻止层与第二导电类型集电极短路区接触；在所述第二导电类型集电极短路区的正上方设置连接金属，所述连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；在所述第一导电类型集电区的上方设置多晶电阻区以及集电极金属，所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。