[发明专利]平面栅IGBT器件在审
| 申请号： | 201810960335.6 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108899362A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 訾彤彤;许生根;张金平;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，还包括设置于第一导电类型漂移区的第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层位于第一导电类型载流子存储层的正下方且第二导电类型浮空层与第一导电类型载流子存储层邻接；第二导电类型浮空层在第一导电类型漂移区的横向长度不小于第一导电类型载流子存储层在第一导电类型漂移区内的横向长度。在第二导电类型基区两侧对称设置第二导电类型区，且此第二导电类型区与发射极连接。本发明其结构紧凑，能有效提高击穿电压，且有效降低关断损耗，与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 导电类型 浮空 载流子存储层 导电类型区 漂移区 平面栅 漂移 发射极连接 对称设置 工艺兼容 关断损耗 击穿电压 邻接 基区 | ||
【主权项】：
1.一种平面栅IGBT器件，包括半导体基板以及设置于所述半导体基板上的元胞结构，半导体基板包括第一导电类型硅；在所述IGBT器件的截面上，所述元胞结构采用平面元胞，元胞结构包括设置于第一导电类型漂移区内的第二导电类型基区、设置于所述第二导电类型基区内的第一导电类型发射区以及设置于第二导电类型基区下方的第一导电类型载流子存储层，所述第一导电类型发射区、第二导电类型类型基区与第一导电类型漂移区内上方的发射极金属欧姆接触，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，还包括设置于第一导电类型漂移区内的第二导电类型浮空层，所述第二导电类型浮空层位于第一导电类型载流子存储层的正下方且第二导电类型浮空层与第一导电类型载流子存储层邻接；第二导电类型浮空层在第一导电类型漂移区内的横向长度不小于第一导电类型载流子存储层在第一导电类型漂移区内的横向长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏中科君芯科技有限公司，未经江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810960335.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
