[发明专利]太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法及其结构有效
| 申请号： | 201810960490.8 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109031523B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 郑小平;刘佳明;张德鉴;白胜闯;李志杰;李佳;欧湛 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 赵永辉 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法及其结构，所述太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法采用所述第一高阻硅以及所述第二高阻硅作为传输材料，可以使得在0.1THz～1THz频段范围内吸收系数小于0.01每厘米，具有很低的介质损耗。并且，所述第一高阻硅以及所述第二高阻硅作为传输材料具有极高的介电常数，可以使得电磁波集中在波导高阻硅内部进行传输减少电磁波向周围空气层的辐射，从而减少辐射损耗。同时，由于电磁波集中于所述空气芯腔内，使得更多的电磁波集中在无损的空气中进行传输，进一步减少了介质损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 悬置 空芯脊型 介质波导 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹悬置空芯脊型介质波导的制作方法，其特征在于，包括：S10，提供一个第一高阻硅(10)，所述第一高阻硅(10)包括第一刻蚀面(110)，在所述第一刻蚀面(110)的相对两侧上制备第一掩膜(111)，并以所述第一掩膜(111)为遮挡进行深反应离子刻蚀，形成第一导带层(120)；S20，提供一个第二高阻硅(20)，与所述第一高阻硅(10)的宽度相同，所述第二高阻硅(20)包括第二刻蚀面(210)以及与所述第二刻蚀面(210)相对的第三刻蚀面(220)，在所述第二刻蚀面(210)的相对两侧上制备第二掩膜(211)，并以所述第二掩膜(211)为遮挡进行深反应离子刻蚀，形成第二导带层(230)，在所述第三刻蚀面(220)的相对两侧上制备第三掩膜(221)，并以所述第三掩膜(221)为遮挡进行深反应离子刻蚀，形成两个高阻硅支撑片(240)；S30，提供一个基底(30)，所述基底(30)的宽度大于所述第二高阻硅(20)，所述基底(30)包括第四刻蚀面(310)，在所述第四刻蚀面(310)的相对两侧上制备第四掩膜(311)，并以所述第四掩膜(311)为遮挡进行湿法刻蚀，形成基底层(320)；S40，将所述两个高阻硅支撑片(240)与所述基底层(320)贴合在一起，所述第一导带层(120)与所述第二导带层(230)贴合在一起，形成一个空气芯腔(40)，并在高温高压环境下，制备太赫兹悬置空芯脊型介质波导(100)。
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