[发明专利]一种新型T型子模块及其拓扑结构在审
申请号: | 201810960732.3 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN109256969A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 庄俊;李官军;杨波;陶以彬;周晨;南国良;宋宁希 | 申请(专利权)人: | 中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网河南省电力公司 |
主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483;H02H7/122 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种新型T型子模块及其拓扑结构,所述T型子模块包括:第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT、第一RB‑IGBT、第二RB‑IGBT、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管和第一电容以及第二电容,本发明提供的具有直流故障阻断能力的T型子模块,在利用较少开关器件的情况下提高了拓扑结构的故障电流闭锁能力。 | ||
搜索关键词: | 二极管 子模块 拓扑结构 电容 故障电流 开关器件 直流故障 闭锁 | ||
【主权项】:
1.一种新型T型子模块,其特征在于,所述T型子模块包括:第一IGBT(S1)、第二IGBT(S2)、第三IGBT(S3)、第一RB‑IGBT(S4)、第二RB‑IGBT(S5)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)和第一电容(C1)以及第二电容(C2);所述第一电容(C1)的正极分别与所述第一IGBT(S1)的集电极、所述第二IGBT(S2)的集电极和所述第一二极管(D1)的负极、第二二极管(D2)的负极连接,所述第一电容(C1)的负极与所述第一RB‑IGBT(S4)的发射极连接,所述第二电容(C2)的正极与所述第一RB‑IGBT(S4)的发射极连接,所述第二电容(C2)的负极分别与所述第三IGBT(S3)的发射极、所述第四二极管(D4)的正极、第三二极管(D3)的正极连接,所述第一RB‑IGBT(S4)与所述第二RB‑IGBT(S5)反向并联,所述第二IGBT(S2)的发射极分别与所述第一RB‑IGBT(S4)的集电极连接,所述第三IGBT(S3)的集电极、所述第一RB‑IGBT(S4)的集电极、所述第四二极管(D4)的正极均与所述T型子模块负极输出连接,所述第一IGBT(S1)的发射极、所述第一二极管(D1)的正极、所述第四二极管(D4)的负极均与所述T型子模块正极输出连接。
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