[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

摘要

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。本发明的技术能够提高衬底的面间均匀性。衬底处理装置具备：在制品晶片支承区域的上下具有虚设晶片支承区域的衬底保持件；收容衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于喷嘴的气体供给孔并对衬底保持件实施气体供给，其中，管状的喷嘴以沿着衬底保持件而在上下方向上延伸的方式配置；和将处理室的气氛排气的排气部，在衬底处理装置中，气体供给孔构成为使得其上端位于比被虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。

主权项

1.衬底处理装置，其具备：衬底保持件，其具有制品晶片支承区域、上方虚设晶片支承区域和下方虚设晶片支承区域，所述制品晶片支承区域将形成有图案的制品晶片以层叠多张的状态进行支承，所述上方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的上方侧来支承虚设晶片，所述下方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的下方侧来支承所述虚设晶片；收容所述衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于所述喷嘴的气体供给孔，并对所述衬底保持件实施气体供给，其中，所述管状的喷嘴以沿着收容在所述处理室内的所述衬底保持件在上下方向上延伸的方式配置；和将所述处理室的气氛排气的排气部，其中，所述气体供给孔构成为使得所述气体供给孔的上端位于比被所述上方虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。