[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810961491.4 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109273568B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底并将衬底放置在反应腔中；在衬底上依次生长N型半导体层和有源层；在有源层上间断性生长电子阻挡层；其中，间断性生长包括依次出现的多个生长周期，每个生长周期包括生长阶段和在生长阶段之后出现的处理阶段；生长阶段时持续向反应腔内通入生长电子阻挡层的全部反应物，生长电子阻挡层；处理阶段时停止向反应腔内通入生长电子阻挡层的部分或者全部反应物，并持续向反应腔内通入氢气，去除电子阻挡层的表面残留的反应物；在电子阻挡层上生长P型半导体层。本发明使电子阻挡层和P型半导体层的交界面清晰，提升外延片整体的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底并将所述衬底放置在反应腔中；在所述衬底上依次生长N型半导体层和有源层；在所述有源层上间断性生长电子阻挡层；其中，所述间断性生长包括依次出现的多个生长周期，每个所述生长周期包括生长阶段和在所述生长阶段之后出现的处理阶段；所述生长阶段时持续向所述反应腔内通入生长所述电子阻挡层的全部反应物，生长所述电子阻挡层；所述处理阶段时停止向所述反应腔内通入生长所述电子阻挡层的部分或者全部反应物，并持续向所述反应腔内通入氢气，去除所述电子阻挡层的表面残留的反应物；在所述电子阻挡层上生长P型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810961491.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
