[发明专利]石墨烯薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810961557.X | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109136842B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王振玉;汪爱英;李汉超;李晓伟;柯培玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35;C23C14/32;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯及其制备方法，所属制备方法包括：提供基体；采用物理气相沉积方法在所述基体上沉积非晶碳膜和在所述非晶碳膜上沉积Ni膜，并使所述非晶碳膜中的碳原子与所述Ni膜的镍原子的个数比为1:6～1:3；对沉积有非晶碳膜和Ni膜的基体进行退火处理；以及去除Ni膜，得到石墨烯薄膜。该制备方法可以在所需基体上实现大面积石墨烯薄膜的可控制备，且所得到的石墨烯薄膜为双层石墨烯薄膜或少层石墨烯薄膜，质量高、均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供基体；采用物理气相沉积方法在所述基体上沉积非晶碳膜和在所述非晶碳膜上沉积Ni膜，并使所述非晶碳膜中的碳原子与所述Ni膜的镍原子的个数比为1:6～1:3；对沉积有非晶碳膜和Ni膜的基体进行退火处理；以及去除Ni膜，得到石墨烯薄膜。
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