[发明专利]一种碳化硅漂移阶跃恢复二极管

摘要

本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种碳化硅漂移阶跃恢复二极管。本发明对常规p⁺‑p‑n₀‑n⁺碳化硅漂移阶跃恢复二极管的n₀基区进行了改造，通过将均匀掺杂的n₀基区改变为N型阶梯式变掺杂基区3，从而在N型基区内引入了方向为自下而上的内建电场，在漂移阶跃恢复二极管在脉冲放电的反向泵浦阶段，使得N型基区内的少数载流子空穴更快的被抽取，且更早的被加速至饱和速度，使得反向泵浦阶段的时间降低，从而使得脉冲放电回路中的负载上形成的电压脉冲前沿的电压变化率更大、时间更短。

主权项

1.一种碳化硅漂移阶跃恢复二极管，其元胞结构包括自下而上依次层叠设置的N型欧姆接触电极(1)、N型碳化硅衬底(2)、N型阶梯式变掺杂基区(3)、P型等离子存储层(4)、P型重掺杂阳极(5)、P型欧姆接触电极(6)；所述N型碳化硅衬底(2)包括N+衬底层(21)与位于N+衬底层(21)上表面的N+buffer层(22)；所述N型阶梯式变掺杂基区(3)包括n层不同掺杂浓度的N型碳化硅外延层，且n≥2，每层N型外延层的掺杂浓度变化规律为自下而上递减，表现为阶梯式的浓度分布。