[发明专利]存储单元读取电路在审
| 申请号： | 201810961601.7 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858496A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 简红;蒋信;熊保玉 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储单元读取电路，包括：存储单元、NMOS晶体管及PMOS晶体管，其中，所述存储单元一端与位线连接，所述位线连接至一电流源，所述电流源用于产生读电流，所述存储单元另一端与字线控制电路连接；所述NMOS晶体管的栅极与所述位线连接，所述NMOS晶体管的源极接地，所述NMOS晶体管的漏极与所述PMOS晶体管的漏极连接，作为数据输出端；所述PMOS晶体管的栅极输入预充电控制信号，所述PMOS晶体管的源极输入预充电电压信号。本发明能够提高存储单元的数据读取速度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 读取 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电海康集团有限公司，未经中电海康集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810961601.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种喷漆房设备布置结构
- 下一篇：半导体器件的制造方法
