[发明专利]具有低阀值电流的半导体激光二极管在审
| 申请号： | 201810962554.8 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109428264A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 亚力克斯约丁;谷善彦;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特;伊藤茂稔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 量子阱层 量子阱 源区 半导体激光二极管 激光发光装置 阀值电流 势垒层 带隙 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物基激光二极管，其特征在于，包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区，所述III族氮化物基有源区包括第一和第二量子阱层，以及位于所述第一和第二量子阱层之间的势垒层，所述第一和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量；其中所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且所述第一量子阱具有比所述第二量子阱更大的带隙。
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