[发明专利]像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置在审
| 申请号： | 201810964921.8 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109148499A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 汤茂亮;夏春秋;王阳阳;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置。一种像素单元，包括：衬底，具有在所述衬底的表面中的凹陷，其中所述凹陷的底表面包括至少两个部分，所述至少两个部分中彼此相邻的两个部分距所述衬底的所述表面的距离不同；在所述衬底中的感光元件；与所述感光元件电连接的晶体管，所述晶体管包括：在所述衬底的凹陷中的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述凹陷的底表面；在所述衬底中的沟道形成区，所述沟道形成区在所述凹陷的底表面下方；以及栅极，所述栅极的至少一部分在所述凹陷中并且在所述凹陷的底表面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 衬底 像素单元 沟道形成区 图像传感器 栅极绝缘层 成像装置 感光元件 晶体管 电连接 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元，其特征在于，包括：衬底，具有在所述衬底的表面中的凹陷，其中所述凹陷的底表面包括至少两个部分，所述至少两个部分中彼此相邻的两个部分距所述衬底的所述表面的距离不同；在所述衬底中的感光元件；与所述感光元件电连接的晶体管，所述晶体管包括：在所述衬底的凹陷中的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述凹陷的底表面；在所述衬底中的沟道形成区，所述沟道形成区在所述凹陷的底表面下方；以及栅极，所述栅极的至少一部分在所述凹陷中并且在所述凹陷的底表面之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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