[发明专利]TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法有效
| 申请号： | 201810966032.5 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427737B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 叶广闻;沈添;R·G·小菲利皮;崔承万;曹琳珺 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;G11C17/18;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及TDDB渗透电流诱导电熔丝结构及其编程方法，其中，一种电熔丝结构包括：电路，具有可操作地耦接该电路至电源的电熔丝；以及冗余电路，响应该电熔丝的断开而可操作地耦接该电源；其中，该电熔丝响应迁移穿过该电熔丝的邻近该电路的时间相关介电击穿(time‑dependent dielectric breakdown；TDDB)渗透电流而断开。本发明还揭示编程这样的电熔丝结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | tddb 渗透 电流 诱导 电熔丝 结构 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝结构，包括：电路，包括可操作地耦接该电路至电源的电熔丝；以及冗余电路，响应该电熔丝的断开而可操作地耦接该电源；其中，该电熔丝响应迁移穿过该电熔丝的邻近该电路的时间相关介电击穿(TDDB)渗透电流而断开。
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