[发明专利]光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法有效

专利信息
申请号: 201810966066.4 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN109212400B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 雷述宇 申请(专利权)人: 宁波飞芯电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 黄小梧
地址: 315500 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法,包括:步骤1,设光电二极管的上表面在光照条件下只有一小孔可进行透光,光照t0时间内小孔所对应光电二极管处所产生的光生电荷为E0,光生电荷E0的转移距离为L0,光生电荷E0在所述悬浮扩散节点中所对应的电压值为ΔV0;步骤2,依次将小孔朝远离悬浮扩散节点的方向进行移动,且每次小孔移动后,光照t0时间内小孔所对应光电二极管处所转移的光生电荷为Ei,光生电荷Ei在所述悬浮扩散节点中所对应的电压值ΔVi,直至小孔移动至光电二极管上表面的边缘为止;步骤3,通过公式得到光电二极管内部光生电荷转移效率。
搜索关键词: 光电二极管 内部 电荷 转移 效率 测试 方法
【主权项】:
1.一种光电二极管内部光生电荷转移效率的测试方法,所述光电二极管(2)内部的光生电荷需转移至悬浮扩散节点(203),其特征在于,测试环境为暗室,包括以下步骤:步骤1,设光电二极管(2)的上表面在光照条件下只有一小孔可进行透光,在能量为E的光源下,光照t0时间内所述小孔所对应光电二极管(2)处所产生的光生电荷为E0,光生电荷E0的转移距离为L0,光生电荷E0在所述悬浮扩散节点(203)中所对应的电压值为ΔV0;步骤2,依次将小孔朝远离悬浮扩散节点(203)的方向进行移动,且每次小孔在进行移动后,在能量为E的光源下光照t0时间后,所述小孔所对应光电二极管2处在t1时间内转移的光生电荷为Ei,所述转移的光生电荷Ei在所述悬浮扩散节点(203)中所对应的电压值ΔVi,i=1,2,3...,N,N为大于等于1的自然数;步骤3,通过式(1)得到光电二极管内部光生电荷转移效率ηi:其中,ΔVi为t1时间内转移的光生电荷Ei在悬浮扩散节点(203)中所对应的电压值;ΔV0为光生电荷E0在悬浮扩散节点(203)中所对应的电压值。
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