[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201810966838.4 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109166823B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘军;闫梁臣;周斌;方金钢;李伟;宋威;胡迎宾 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示器技术领域，提出一种阵列基板的制作方法，该方法包括：形成一初始栅极，其中，所述初始栅极的边沿具有坡面；对所述初始栅极边沿的坡面以及所述坡面向内延伸的部分平面进行预设厚底的刻蚀，从而减小所述初始栅极坡面的坡角。本公开通过对所述初始栅极边沿的坡面以及所述坡面向内延伸的部分平面进行预设厚底刻蚀，减小了初始栅极边沿坡面的坡角，从而减小了初始栅极与层间绝缘层之间出现断裂或空隙的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，包括制作顶栅TFT中栅极的过程，所述栅极的制作过程包括：首次在具有光刻胶的金属层上使用刻蚀液进行湿法刻蚀，形成初始栅极；其特征在于，还包括：对所述初始栅极进行刻蚀，使得所述初始栅极边沿具有从顶部到底部延伸的坡度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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