[发明专利]一种多层纳米晶片的制备方法在审
| 申请号： | 201810967618.3 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109346304A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 任泽明;张飞龙;余长勇 | 申请（专利权）人： | 广东思泉新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林;杨桂洋 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层纳米晶片的制备方法，包括以下步骤：S1,从整张纳米晶片材料上裁切出符合规格大小的纳米晶片；S2,利用机械手将裁切好的纳米晶片吸附并移送到指定位置；S3,在纳米晶片上喷涂胶水；S4,机械手夹取另外一片纳米晶片并放置到喷涂好胶水的纳米晶片上，再施加压力，使两片纳米晶片贴合在一起；S5,根据设定的层数要求，循环步骤S2、步骤S3和步骤S4，直到完成相应层数的纳米晶片的制备。本发明操作简单，良品率高，更加轻薄化，减少人力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶片 制备 裁切 多层 机械手夹 喷涂胶水 人力成本 施加压力 循环步骤 机械手 胶水 良品率 轻薄化 喷涂 贴合 吸附 | ||
【主权项】：
1.一种多层纳米晶片的制备方法，包括以下步骤：S1,从整张纳米晶片材料上裁切出符合规格大小的纳米晶片；S2,利用机械手将裁切好的纳米晶片吸附并移送到指定位置；S3,在纳米晶片上喷涂胶水；S4,机械手夹取另外一片纳米晶片并放置到喷涂好胶水的纳米晶片上，再施加压力，使两片纳米晶片贴合在一起；S5,根据设定的层数要求，循环步骤S2、步骤S3和步骤S4，直到完成相应层数的纳米晶片的制备。
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