[发明专利]硅岛结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810968228.8 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110858561A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 蒲甜松;李庆民;陈信全 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅岛结构及其制作方法，所述方法包括：在硅衬底内形成多个第一沟槽，至少在部分第一沟槽中填充绝缘材料，以在第一沟槽内形成第二沟槽，形成覆盖硅衬底以及第二沟槽侧壁及底部的保护层，刻蚀去除第二沟槽底部的保护层以及第二沟槽下方的绝缘材料，以露出第一沟槽，氧化被第一沟槽侧壁暴露出的硅衬底，至相邻第一沟槽侧壁之间的硅衬底全部氧化，以形成氧化层，去除第二沟槽侧壁的保护层，填充隔离材料在第二凹槽内形成隔离结构，从而形成多个彼此完全绝缘的硅岛，可以在目前工艺基础上，不需要额外的离子注入、键合等工艺实现特定区域硅岛的形成，从而实现与绝缘衬底上硅相同的特性，可以极大的降低工艺的复杂程度，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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