[发明专利]半导体元件制造方法及其制得的半导体元件有效
| 申请号： | 201810968332.7 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110858562B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 周志飚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件制造方法及其制得的半导体元件，制造方法包括：提供一种结构，包括一第一停止层形成于一基板上方、一第一介电层形成于第一停止层上方、一第二停止层形成于第一介电层上方、及导线形成于第一介电层中且相互分隔开来；形成一第一暂置层于第二停止层上；图案化前述第一暂置层以形成一第一图案化暂置层；形成一第二暂置层于第一图案化暂置层上而形成一第一沟槽；回蚀第二暂置层和第一图案化暂置层，以形成一第二沟槽，其中第二沟槽自对准于第一沟槽，第二沟槽向下延伸至第一介电层，且在第二停止层处形成一开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
