[发明专利]存储器元件及其制造方法

摘要

本发明公开了存储器元件及其制造方法。存储器元件包含基板、第一主动区域、第二主动区域、闸极结构以及覆盖层。第一主动区域及第二主动区域交替设置于基板内。闸极结构设置于基板内并介于第一主动区域以及第二主动区域之间。覆盖层位于闸极结构的上方，以在覆盖层以及闸极结构之间定义一空隙。借此，本发明的存储器元件，应用空隙作为闸极结构的盖子以取代通常结构内所使用的介电材料。因此，可有效降低主动区域之间的电容耦合，并改善单元接面电气情形及闸极引发汲极漏电流现象。此外，具有气态材料的空隙所提供的应力松弛功能，较填充固态材料的通常结构为佳。因此，可以改进存储器元件的性能。

主权项

1.一种制造存储器元件的方法，所述方法包含：形成第一主动区域以及与所述第一主动区域横向间隔的第二主动区域；形成所述第一主动区域和所述第二主动区域之间的闸极结构；以及形成覆盖材料，所述覆盖材料在所述第一主动区域和所述第二主动区域之间延伸，所述覆盖材料位于所述闸极结构的上方且封闭所述闸极结构和所述覆盖材料之间的空间以定义密封空隙，其包括：在凹槽的侧壁上和所述闸极结构的上方形成介电材料以形成衬垫；以及形成所述介电材料桥接所述凹槽的所述侧壁以密封所述闸极结构和所述覆盖材料之间的空间。